低噪聲的內置場效應管的半導體核輻射探測器-问鼎娱乐

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發佈日期：2016-06-30 點擊次數： 9547

本發明涉及半導體核輻射探測器使用的光電二極管和一級前置放大器的場效應管。現有的核輻射探測器使用的光電二極管和場效應管為兩個部件，固定在同一基板上，彼此連接採用金絲點焊。由於金絲有大約10mm長，其分布電容大約在0.2pf左右。
本發明將光電二極管和場效應管光刻在同一片硅片上，這樣場效應管柵極和光電二極管之間幾乎是直接相連，大大降低分布電容，其分布電容大約在0.01~0.02pf。因此該系統因分布電容產生的噪聲遠小於現有的核輻射探測器。

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